設備配置 | 2-4 chamber |
設備產能 | 104WPH |
襯底材質 | Si、SiC、Glass、GaAs、InP、Sapphire、LN、LT |
適用工藝 | 來料清洗、CMP后清洗、打標后清洗、背面清洗、光刻膠殘留清洗 |
工藝指標 | 顆??刂疲?le;[email protected]) |
金屬離子控制(Fe Ca: 5E9 atms/cm | |
應用領域 | IC、功率器件、射頻集成、半導體光學、光通訊、科研 |
技術特征 | ?機臺可實現(xiàn)多尺寸兼容; ?工藝腔體經過優(yōu)化設計,高性能FFU,配合可調節(jié)高度的CUP,在晶圓表面形成穩(wěn)定downflow,有效控制腔體內的靜態(tài)環(huán)境和動態(tài)環(huán)境; ?多達三個噴液手臂和一個固定噴頭,實現(xiàn)多種噴液方式的混合使用,增大清洗工藝節(jié)點的窗口(≤120nm); ?手臂采用電缸使上下方向高度可調,采用伺服電機使擺動方向上實現(xiàn)任意位置的精確調節(jié),實現(xiàn)更大的工藝優(yōu)化窗口; ?氣液分離機制,可利用分層CUP實現(xiàn)對有機和DIW的分開排廢。 |
設備尺寸 | 2560*2513*2500(W*D*H) |