設備配置 |
2-4 chamber(option: COT、DEV) |
設備產(chǎn)能 |
20WPH |
襯底材質(zhì) |
Si、Glass等 |
適用工藝 |
深孔噴膠TSV、高深寬比臺階噴膠. |
工藝指標 |
平面均勻性≤5%@5-10um;臺階覆蓋率≥30% |
應用領域 |
先進封裝、MEMS、科研等 |
技術特征 |
?適用于表面刻有深孔的高表面形貌圓形或方形基片的噴涂工藝要求,超聲波霧化光刻膠膠粒,可均勻覆蓋臺階表面,邊緣,側(cè)壁,底部;
?噴嘴配有自動清洗功能;
?設備可配置勻膠腔體和顯影腔體。 |
設備尺寸 |
2665*1724*2432mm(W*D*H) |